Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Кахраи К$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Кахраи К. 
Высокотемпературный пленочный тензорезистор и его характеристики [Електронний ресурс] / К. Кахраи // Авиационно-космическая техника и технология. - 2013. - № 3. - С. 96–100. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/aktit_2013_3_19
Попередній перегляд:   Завантажити - 775.025 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Гусев Ю. А. 
Тензорезисторы с антишунтирующим экраном [Електронний ресурс] / Ю. А. Гусев, Е. А. Кононыхин, К. Кахраи // Авиационно-космическая техника и технология. - 2013. - № 7. - С. 107–111. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/aktit_2013_7_21
Уменьшение электроизоляционных свойств связующего тензорезистора регистрирующей аппаратурой воспринимается как кажущаяся деформация. Для уменьшения токов утечки в слое связующего между ЧЭ тензорезистора и поверхностью детали вводится экран, совпадающий по конфигурации с ЧЭ тензорезистора. Рассмотрены конструктивные особенности тензорезисторов с антишунтирующим экраном; схемы их включения в измерительные цепи; проведен анализ процесса шунтирования ЧЭ тензорезистора, с использованием аналитического метода; представлены формулы изменения сопротивления ЧЭ при его шунтировании, а также конечно-элементная модель (МКЭ) тензорезистора при различных значениях электросопротивления связующего; получены поля распределения токов утечки. Представлены результаты экспериментальной проверки явления шунтирования высокотемпературного тензорезистора и их соответствие с теоретическими исследованиями.
Попередній перегляд:   Завантажити - 442.198 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Гусев Ю. А. 
Исследования вибронапряженного состояния элементов ГТД с применением высокотемпературных пленочных тензорезисторов [Електронний ресурс] / Ю. А. Гусев, К. Кахраи, Г. А. Прочан, Ю. А. Яковлев // Вісник Національного технічного університету "ХПІ". Серія : Енергетичні та теплотехнічні процеси й устаткування. - 2015. - № 16. - С. 38-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vcpient_2015_16_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 988.505 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського